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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > MIMD10A-7-F
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MIMD10A-7-F

Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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简述:TRANS PREB NPN/PNP R1/R2 SOT363
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MIMD10A-7-F相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MIN02-001DC220J-F Cornell Dubilier Electronics (CDE) 非标准型 SMD CAP MICA 22PF 300V 5% SMD 电容:22pF 电压 - 额定:300V 容差:±5% 电介质材料...
MIN02-001DC240J-F Cornell Dubilier Electronics (CDE) 非标准型 SMD CAP MICA 24PF 300V 5% SMD 电容:24pF 电压 - 额定:300V 容差:±5% 电介质材料...
MIN02-001DC330J-F Cornell Dubilier Electronics (CDE) 非标准型 SMD CAP MICA 33PF 300V 5% SMD 电容:33pF 电压 - 额定:300V 容差:±5% 电介质材料...
MIL2206SNAD25 C&K Components SWITCH ROTARY MIL DP 6POS W/MNT ...
MIL2206B06NAD25 C&K Components SWITCH ROTARY MIL DP 6POS W/MNT ...
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MIMD10A-7-F参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA,500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):100,10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 1mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 1mA,10mA / 300mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:250MHz,200MHz
功率 - 最大:200mW
安装类型:表面贴装

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