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MII150-12A4

IXYS Y3-DCB
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简述:MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB
参考包装数量:2
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与MII150-12A4相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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MIH-2-412-TF JST Sales America Inc CONN COMPRESSION SMT 2 POS ...

MII150-12A4参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
配置:半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.7V @ 15V,100A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):180A
电流 - 集电极截止(最大):7.5mA
Vce 时的输入电容 (Cies):6.6nF @ 25V
功率 - 最大:760W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

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