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首页 > 电阻器 > 芯片电阻 - 表面安装 > MCR50JZHJ4R3
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MCR50JZHJ4R3

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简述:RES 4.3 OHM 1/2W 5% 2010 SMD
参考包装数量:1
参考包装形式:

与MCR50JZHJ4R3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MCR50JZHJ4R7 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 8000 RES 4.7 OHM 1/2W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):4.7 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:获得...
MCR50JZHJ510 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 9070 RES 51 OHM 1/2W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):51 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:获得 ...
MCR50JZHJ511 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 4000 RES 510 OHM 1/2W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):510 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:获得...
MCR50JZHJ474 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 12000 RES 470K OHM 1/2W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):470k 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:获...
MCR50JZHJ473 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 54970 RES 47K OHM 1/2W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):47k 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:获得...
MCR50JZHJ472 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 16000 RES 4.7K OHM 1/2W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):4.7k 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:获...

MCR50JZHJ4R3参数资料

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电阻(欧姆):4.3
功率(瓦特):0.5W,1/2W
复合体:厚膜
特点:获得 AEC-Q200 汽车认证
温度系数:±500ppm/°C
容差:±5%

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