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MCR50JZHF8660

Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 8000
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简述:RES 866 OHM 1/2W 1% 2010 SMD
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MCR50JZHF8660相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MCR50JZHF8661 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 8000 RES 8.66K OHM 1/2W 1% 2010 SMD 电阻(欧姆):8.66k 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:...
MCR50JZHF86R6 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 4000 RES 86.6 OHM 1/2W 1% 2010 SMD 电阻(欧姆):86.6 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:获...
MCR50JZHF8870 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 8000 RES 887 OHM 1/2W 1% 2010 SMD 电阻(欧姆):887 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:获得...
MCR50JZHF8451 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 7990 RES 8.45K OHM 1/2W 1% 2010 SMD 电阻(欧姆):8.45k 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:...
MCR50JZHF82R5 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 4000 RES 82.5 OHM 1/2W 1% 2010 SMD 电阻(欧姆):82.5 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:获...
MCR50JZHF8251 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 8000 RES 8.25K OHM 1/2W 1% 2010 SMD 电阻(欧姆):8.25k 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:...

MCR50JZHF8660参数资料

PDF资料下载:

电阻(欧姆):866
功率(瓦特):0.5W,1/2W
复合体:厚膜
特点:获得 AEC-Q200 汽车认证
温度系数:±100ppm/°C
容差:±1%

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