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MCR50JZHF57R6

Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 7840
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简述:RES 57.6 OHM 1/2W 1% 2010 SMD
参考包装数量:1
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与MCR50JZHF57R6相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MCR50JZHF5900 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 4000 RES 590 OHM 1/2W 1% 2010 SMD 电阻(欧姆):590 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:获得...
MCR50JZHF5901 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 8000 RES 5.90K OHM 1/2W 1% 2010 SMD 电阻(欧姆):5.9k 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:获...
MCR50JZHF5902 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 24000 RES 59.0K OHM 1/2W 1% 2010 SMD 电阻(欧姆):59k 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:获得...
MCR50JZHF5761 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 8000 RES 5.76K OHM 1/2W 1% 2010 SMD 电阻(欧姆):5.76k 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:...
MCR50JZHF56R2 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 8000 RES 56.2 OHM 1/2W 1% 2010 SMD 电阻(欧姆):56.2 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:获...
MCR50JZHF5622 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) 4000 RES 56.2K OHM 1/2W 1% 2010 SMD 电阻(欧姆):56.2k 功率(瓦特):0.5W,1/2W 复合体:厚膜 特点:...

MCR50JZHF57R6参数资料

PDF资料下载:

电阻(欧姆):57.6
功率(瓦特):0.5W,1/2W
复合体:厚膜
特点:获得 AEC-Q200 汽车认证
温度系数:±100ppm/°C
容差:±1%

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