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MCR08BT1,115

NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA
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简述:THYRISTOR 0.8A 200V SOT223
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MCR08BT1G ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA 16000 THYRISTOR SCR 0.8A 200V SOT223 SCR 型:灵敏栅极 电压 - 断路:200V 电压 - 栅极触发器 (Vgt)...
MCR08MT1 ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA THYRISTOR SCR 0.8A 600V SOT223 SCR 型:灵敏栅极 电压 - 断路:600V 电压 - 栅极触发器 (Vgt)...
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MCR08BT1,115参数资料

PDF资料下载:

SCR 型:灵敏栅极
电压 - 断路:200V
电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大):800mV
电压 - 导通状态 (Vtm)(最大):1.7V
电流 - 导通状态 (It (AV))(最大):500mA
电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大):800mA
电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大):200µA
电流 - 维持(Ih):5mA
电流 - 断开状态(最大):100µA
电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm):8A,9A
工作温度:-
安装类型:表面贴装

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