收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > JFET(结点场效应 > MCH5908G-TL-E
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MCH5908G-TL-E

ON Semiconductor 5-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 15V 50MA MCPH5
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MCH5908G-TL-E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MCH5908H-TL-E ON Semiconductor 5-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH 15V 50MA MCPH5 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):16mA @ 5V 漏极...
MCH6001-TL-E ON Semiconductor 6-SMD,扁平引线 0+3000 TRANS PNP/NPN BIPO LNA MCPH6 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):150mA 电...
MCH6101-TL-E ON Semiconductor 6-SMD,扁平引线 TRANS PNP BIPO 1.5A 15V MCPH6 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.5A 电压 - 集电...
MCH5837-TL-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 6-SMD(5引线),扁引线 MOSFET N-CH/DIODE SCHOTTKY MCPH5 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
MCH5541-TL-E ON Semiconductor 6-SMD(5引线),扁引线 0+3000 TRANS PNP/NPN BIPO 700MA MCPH5 晶体管类型:NPN,PNP(耦合发射器) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):7...
MCH4021-TL-E ON Semiconductor 4-SMD,扁平引线 TRANS NPN 8V 150MA MCPH4 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):8V 频率 - 转换:1...

MCH5908G-TL-E参数资料

PDF资料下载:

电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):10mA @ 5V
漏极至源极电压(Vdss):-
漏极电流 (Id) - 最大:50mA
FET 型:2 个 N 沟道(双)
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:300mV @ 100µA
输入电容 (Ciss) @ Vds:10.5pF @ 5V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:表面贴装
包装:带卷 (TR)

最近更新

型号类别