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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列 > MBT3906DW1T1G
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MBT3906DW1T1G

ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 15000+321000
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简述:TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MBT3906DW1T1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MBT3946DW1T1 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压...
MBT3946DW1T1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 42000 TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压...
MBT3946DW1T2G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 0+1128000 TRANS GP DUAL 200MA 40V SOT-363 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压...
MBT3906DW1T1 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
MBT3904DW2T1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
MBT3904DW2T1 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...

MBT3906DW1T1G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA,1V
功率 - 最大:150mW
频率 - 转换:250MHz
安装类型:表面贴装

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