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MBT3904DW1T1

ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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简述:TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363
参考包装数量:10
参考包装形式:剪切带 (CT)

与MBT3904DW1T1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MBT3904DW1T1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 51000+975000 TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
MBT3904DW1T3G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS GP DUAL 200MA 40V SOT-363 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
MBT3904DW2T1 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
MBT35200MT2G ON Semiconductor SC-74,SOT-457 0+3000 TRANS SW PNP BIPO 35V 2A 6-TSOP 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A 电压 - 集电极发...
MBT35200MT1G ON Semiconductor SC-74,SOT-457 0+63000 TRANS SW PNP BIPOL 35V 2A 6TSOP 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A 电压 - 集电极发...
MBT2222ADW1T1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 15000 TRANS NPN GP 600MA 40V SOT-363 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):600mA 电...

MBT3904DW1T1参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA,1V
功率 - 最大:150mW
频率 - 转换:300MHz
安装类型:表面贴装

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