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MB9BF506RPMC-G-JNE1

Fujitsu Semiconductor America Inc 120-LQFP 449
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简述:IC MCU 32BIT 512KB FLASH 120LQFP
参考包装数量:1
参考包装形式:托盘

与MB9BF506RPMC-G-JNE1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MBA02040C1000FRP00 Vishay BC Components 轴向 RES 100 OHM 0.4W 1% 0204 电阻(欧姆):100 功率(瓦特):0.4W 复合体:薄膜 特点:- 温度系数:...
MBA02040C1002FRP00 Vishay BC Components 轴向 RES 10.0K OHM 0.4W 1% 0204 电阻(欧姆):10k 功率(瓦特):0.4W 复合体:薄膜 特点:- 温度系数:...
MBA02040C1003FRP00 Vishay BC Components 轴向 RES 100K OHM 0.4W 1% 0204 电阻(欧姆):100k 功率(瓦特):0.4W 复合体:薄膜 特点:- 温度系数...
MB9BF506NPMC-G-JNE1 Fujitsu Semiconductor America Inc 100-LQFP 304 IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100LQFP 核心处理器:ARM? Cortex?-M3 核心尺寸:32-位 速度:80MHz...
MB9BF504RPMC-GE1 Fujitsu Semiconductor America Inc 120-LQFP 483 IC MCU 32BIT 256KB FLASH 120LQFP 核心处理器:ARM? Cortex?-M3 核心尺寸:32-位 速度:80MHz...
MB9BF504NPMC-G-JNE1 Fujitsu Semiconductor America Inc 100-LQFP 84 IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP 核心处理器:ARM? Cortex?-M3 核心尺寸:32-位 速度:80MHz...

MB9BF506RPMC-G-JNE1参数资料

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核心处理器:ARM? Cortex?-M3
核心尺寸:32-位
速度:80MHz
连接性:CAN,CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,SCI,UART/USART,USB
外设:DMA,LVD,POR,PWM,WDT
I/O 数:100
程序存储容量:512KB(512K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM 容量:-
RAM 容量:64K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V
数据转换器:A/D 16x12b
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C ~ 85°C

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