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MAX626CPA+

Maxim Integrated 8-DIP(0.300",7.62mm) 129+250
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简述:IC DRIVER MOSFET DUAL 8-DIP
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与MAX626CPA+相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MAX626CSA+ Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 3519+3400 IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC 配置:低端 输入类型:反相 延迟时间:20ns 电流 - 峰:2A 配置数:2 ...
MAX626CSA+T Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 0+7500 IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC 配置:低端 输入类型:反相 延迟时间:20ns 电流 - 峰:2A 配置数:2 ...
MAX626EPA+ Maxim Integrated 8-DIP(0.300",7.62mm) 0+350 IC DRIVER MOSFET DUAL 8-DIP 配置:低端 输入类型:反相 延迟时间:20ns 电流 - 峰:2A 配置数:2 ...
MAX6250BESA+T Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC VREF SERIES BURIED ZNR 8-SOIC 基准类型:串联,隐埋式齐纳 输出电压:5V 容差:±0.1% 温度...
MAX6250BESA+ Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 453+1700 IC VREF SERIES BURIED ZNR 8-SOIC 基准类型:串联,隐埋式齐纳 输出电压:5V 容差:±0.1% 温度...
MAX6250BEPA+ Maxim Integrated 8-DIP(0.300",7.62mm) 0+1350 IC VREF SERIES BURIED ZNR 8-PDIP 基准类型:串联,隐埋式齐纳 输出电压:5V 容差:±0.1% 温度...

MAX626CPA+参数资料

PDF资料下载:

配置:低端
输入类型:反相
延迟时间:20ns
电流 - 峰:2A
配置数:2
输出数:2
高端电压 - 最大(自引导启动):-
电源电压:4.5 V ~ 18 V
工作温度:0°C ~ 70°C
安装类型:通孔

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