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LTR-516AD

Lite-On Inc 6.6mm x 5mm 28110
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简述:PHOTODIODE IR DARK
参考包装数量:1000
参考包装形式:

与LTR-516AD相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
LTR-526AB Lite-On Inc 径向,侧视图 PHOTOTRANSISTOR PIN .100" 2UA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
LTR-526AD Lite-On Inc 径向,侧视图 PHOTOTRANSISTOR PIN .100" 2UA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
LTR-536AB Lite-On Inc 径向,侧视图 PHOTOTRANSISTOR PIN .100" 2UA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
LTR-516AB Lite-On Inc 径向,侧视图 PHOTOTRANSISTOR PIN .100" 2UA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
LTR50UZPJ821 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制)宽(长侧)1020(2550 公制) 10000 RES 820 OHM 1W 5% 2010 WIDE 电阻(欧姆):820 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:脉冲耐受 温度系数...
LTR50UZPJ681 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制)宽(长侧)1020(2550 公制) 5000 RES 680 OHM 1W 5% 2010 WIDE 电阻(欧姆):680 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:脉冲耐受 温度系数...

LTR-516AD参数资料

PDF资料下载:

波长:940nm
颜色 - 增强型:-
光谱范围:770nm ~ 1000nm
二极管类型:-
nm 下响应率:-
响应时间:-
电压 - (Vr)(最大):30V
电流 - 暗(标准):30nA
有效面积:-
视角:-
工作温度:-40°C ~ 85°C

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