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J112G

ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 5650+13000
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简述:TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
参考包装数量:1000
参考包装形式:散装

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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J112G参数资料

PDF资料下载:

电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):5mA @ 15V
漏极至源极电压(Vdss):-
漏极电流 (Id) - 最大:-
FET 型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):35V
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:1V @ 1µA
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
电阻 - RDS(开):50 欧姆
安装类型:通孔
包装:散装

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