| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IXTY1R4N100P |
IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 参考包装数量：75 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IXTY1R4N120P | IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXTY1R4N60P | IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2570 | MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IXTY1R6N100D2 | IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| IXTY1N80P | IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXTY1N80 | IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXTY1N120P | IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
