收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTX5N250
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTX5N250

IXYS *
询价QQ:
简述:MOSF N CH 2500V 4.4A PLUS247
参考包装数量:30
参考包装形式:*

与IXTX5N250相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTX600N04T2 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX60N50L2 IXYS TO-247-3 60 MOSFET N-CH 60A 500V PLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX8N150L IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX550N055T2 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX46N50L IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX40P50P IXYS TO-247-3 150 MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTX5N250参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):2500V(2.5kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.8 欧姆 @ 4.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):200nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8560pF @ 25V
功率 - 最大值:960W
安装类型:*

最近更新

型号类别