收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTX24N100
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTX24N100

IXYS TO-247-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXTX24N100相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTX32P60P IXYS TO-247-3 MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX40P50P IXYS TO-247-3 150 MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX46N50L IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX22N100L IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX210P10T IXYS TO-247-3 MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX20N150 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTX24N100参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):24A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):267nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8700pF @ 25V
功率 - 最大值:568W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别