收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTV96N25T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTV96N25T

IXYS TO-220-3(SMT)标片
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTV96N25T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTV98N20T IXYS TO-220-3(SMT)标片 MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX110N20L2 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX120P20T IXYS TO-247-3 MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTV72N30T IXYS TO-220-3(SMT)标片 MOSFET N-CH 300V 72A PLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTV60N30T IXYS TO-220-3(SMT)标片 MOSFET N-CH 300V 60A PLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTV36N50PS IXYS PLUS-220SMD MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTV96N25T参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):96A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):29 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):114nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6100pF @ 25V
功率 - 最大值:625W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别