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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTV200N10TS
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IXTV200N10TS

IXYS PLUS-220SMD 189 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTV200N10TS相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTV22N50P IXYS TO-220-3(SMT)标片 MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTV22N50PS IXYS PLUS-220SMD 300 MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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IXTV200N10T IXYS TO-220-3(SMT)标片 MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTV18N60PS IXYS PLUS-220SMD MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTV18N60P IXYS TO-220-3(SMT)标片 MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTV200N10TS参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):200A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.5 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):152nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9400pF @ 25V
功率 - 最大值:550W
安装类型:表面贴装

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