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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTT88N15
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IXTT88N15

IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 150V 88A TO-268
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与IXTT88N15相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTT88N30P IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTT8P50 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET P-CH 500V 8A TO-268 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTT90P10P IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 115 MOSFET P-CH 100V 90A TO-268 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTT82N25P IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 154 MOSFET N-CH 250V 82A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTT80N20L IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 200V 80A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTT75N20L2 IXYS MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK ...

IXTT88N15参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):88A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 44A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4000pF @ 25V
功率 - 最大值:400W
安装类型:表面贴装

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