收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTT440N055T2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTT440N055T2

IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 440A TO-268
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXTT440N055T2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTT48P20P IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET P-CH 200V 48A TO-268 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTT500N04T2 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 40V 500A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTT50N30 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTT40N50L2 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 100 MOSFET N-CH 40A 500V TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTT36P10 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET P-CH 100V 36A TO-268 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTT36N50P IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 969 MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTT440N055T2参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):440A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):405nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):25000pF @ 25V
功率 - 最大值:1000W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别