收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTQ75N10P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTQ75N10P

IXYS TO-3P-3,SC-65-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTQ75N10P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTQ76N25T IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 250V 76A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTQ80N28T IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTQ82N25P IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTQ74N20P IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 200V 74A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTQ74N15T IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 150V 74A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTQ72N30T IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 300V 72A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTQ75N10P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):74nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2250pF @ 25V
功率 - 最大值:360W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别