收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTQ50N20P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTQ50N20P

IXYS TO-3P-3,SC-65-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTQ50N20P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTQ50N25T IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTQ52N30P IXYS TO-3P-3,SC-65-3 128 MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTQ52P10P IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTQ48N20T IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTQ480P2 IXYS TO-3P-3,SC-65-3 202 MOSFET N-CH 500V 52A TO3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTQ470P2 IXYS TO-3P-3,SC-65-3 133 MOSFET N-CH 500V 42A TO3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTQ50N20P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2720pF @ 25V
功率 - 最大值:360W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别