收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTQ102N20T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTQ102N20T

IXYS TO-3P-3,SC-65-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXTQ102N20T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTQ102N25T IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTQ10P50P IXYS TO-3P-3,SC-65-3 192 MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTQ110N055P IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTQ102N15T IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTQ100N25P IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP98N075T IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 75V 98A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTQ102N20T参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):102A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):114nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6800pF @ 25V
功率 - 最大值:750W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别