收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTP64N055T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTP64N055T

IXYS TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 64A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTP64N055T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTP6N100D2 IXYS TO-220-3 75 MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...
IXTP6N50D2 IXYS TO-220-3 301 MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...
IXTP6N50P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP62N15P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 62A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP60N20T IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 60A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP60N10T IXYS TO-220-3 4166 MOSFET N-CH 100V 60A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTP64N055T参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):64A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):13 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):37nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1420pF @ 25V
功率 - 最大值:130W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别