收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTP4N80P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTP4N80P

IXYS TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTP4N80P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTP50N085T IXYS TO-220-3 1837 MOSFET N-CH 85V 50A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP50N20P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 50A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP50N20PM IXYS TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 200V 20A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP4N60P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP48P05T IXYS TO-220-3 MOSFET P-CH 50V 48A TO-220 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP48N20T IXYS TO-220-3 1099 MOSFET N-CH 200V 48A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTP4N80P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.4 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):750pF @ 25V
功率 - 最大值:100W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别