收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTP36P15P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTP36P15P

IXYS TO-220-3 779
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 150V 36A TO-220
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXTP36P15P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTP38N15T IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 38A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP3N100D2 IXYS TO-220-3 48 MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...
IXTP3N100P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP36N30T IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 300V 36A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP36N30P IXYS TO-220-3 60 MOSFET N-CH 300V 36A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP36N20T IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 36A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTP36P15P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):36A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3100pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别