收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTP28P065T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTP28P065T

IXYS TO-220-3 488
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 65V 28A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTP28P065T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTP2N100 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP2N100P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP2N60P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 2A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP27N20T IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 27A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP26P20P IXYS TO-220-3 1233 MOSFET P-CH 200V 26A TO-220 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP26P10T IXYS TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 26A TO-220 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTP28P065T参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):65V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):28A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2030pF @ 25V
功率 - 最大值:83W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别