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IXTP1N120P

IXYS TO-220-3
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简述:MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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IXTP1N120P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):20 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):550pF @ 25V
功率 - 最大值:63W
安装类型:通孔

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