收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTP182N055T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTP182N055T

IXYS TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 182A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTP182N055T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTP18N60PM IXYS TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP18P10T IXYS TO-220-3 1183 MOSFET P-CH 100V 18A TO-220 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP1N100 IXYS TO-220-3 577 MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP180N10T IXYS TO-220-3 382 MOSFET N-CH 100V 180A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP180N085T IXYS TO-220-3 588 MOSFET N-CH 85V 180A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP180N055T IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 180A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTP182N055T参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):182A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):114nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4850pF @ 25V
功率 - 最大值:360W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别