收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTP08N50D2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTP08N50D2

IXYS TO-220-3 189
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTP08N50D2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTP100N04T2 IXYS TO-220-3 1952 MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP102N15T IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 102A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP10N60P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP08N120P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP08N100P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP08N100D2 IXYS TO-220-3 1208 MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...

IXTP08N50D2参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:耗尽模式
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):800mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.6 欧姆 @ 400mA,0V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):312pF @ 25V
功率 - 最大值:60W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别