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IXTN5N250

IXYS *
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简述:MOSF N CH 2500V 4.4A SOT227B
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IXTN5N250参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):2500V(2.5kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.8 欧姆 @ 4.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):200nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8560pF @ 25V
功率 - 最大值:700W
安装类型:*

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