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IXTN30N100L

IXYS SOT-227-4,miniBLOC 10
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简述:MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
参考包装数量:10
参考包装形式:散装

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IXTN30N100L参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:450 毫欧 @ 500mA,20V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:545nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds:13700pF @ 25V
功率 - 最大:800W
安装类型:底座安装

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