收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > IXTN17N120L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTN17N120L

IXYS SOT-227-4,miniBLOC
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXTN17N120L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTN200N10L2 IXYS SOT-227-4,miniBLOC TRANS MOSFET 100V 178A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXTN200N10T IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXTN210P10T IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227 FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXTN170P10P IXYS SOT-227-4,miniBLOC 71 MOSFET P-CH 100V 170A SOT227 FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXTN120P20T IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227 FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXTN120N25 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

IXTN17N120L参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:900 毫欧 @ 8.5A,20V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:155nC @ 15V
输入电容 (Ciss) @ Vds:8300pF @ 25V
功率 - 最大:540W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别