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IXTN17N120L

IXYS SOT-227-4,miniBLOC 闁活澀绲婚惁浠嬫晬閿燂拷0755-83217923
询价QQ:闁告粌鏈崹婊堝础閾忣偅顦уù婧垮€涢惃锟�
简述:MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXTN17N120L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IXTN17N120L参数资料

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FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:900 毫欧 @ 8.5A,20V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:155nC @ 15V
输入电容 (Ciss) @ Vds:8300pF @ 25V
功率 - 最大:540W
安装类型:底座安装

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