收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTK8N150L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTK8N150L

IXYS TO-264-3,TO-264AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1500V 8A TO-264
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

与IXTK8N150L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTK90N15 IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 150V 90A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK90N25L2 IXYS TO-264-3,TO-264AA 207 MOSFET N-CH 90A 250V TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK90P20P IXYS TO-264-3,TO-264AA 218 MOSFET P-CH 200V 90A TO-264 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK88N30P IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 300V 88A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK82N25P IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 250V 82A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK80N25 IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 250V 80A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTK8N150L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1500V(1.5kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 欧姆 @ 4A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):250nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8000pF @ 25V
功率 - 最大值:700W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别