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IXTK32P60P

IXYS TO-264-3,TO-264AA 21
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简述:MOSFET P-CH 600V 32A TO-264
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IXTK32P60P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):32A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):350 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):196nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):11100pF @ 25V
功率 - 最大值:890W
安装类型:通孔

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