收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTK200N10P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTK200N10P

IXYS TO-264-3,TO-264AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

与IXTK200N10P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTK20N150 IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK21N100 IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK22N100L IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK200N10L2 IXYS TO-264-3,TO-264AA 58 MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK180N15P IXYS TO-264-3,TO-264AA 50 MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK180N15 IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTK200N10P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):200A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):240nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7600pF @ 25V
功率 - 最大值:800W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别