收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTK120P20T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTK120P20T

IXYS TO-264
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 200V 120A TO-264
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

与IXTK120P20T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTK128N15 IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 150V 128A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK140N20P IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK140N30P IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 300V 140A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK120N25P IXYS TO-264-3,TO-264AA 246 MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK120N25 IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK120N20P IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTK120P20T参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):740nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):73000pF @ 25V
功率 - 最大值:1040W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别