收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTK110N20L2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTK110N20L2

IXYS TO-264-3,TO-264AA 139
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

与IXTK110N20L2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTK110N30 IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 300V 110A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK120N20P IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK120N25 IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK102N30P IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTK100N25P IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 250V 100A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTJ6N150 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTK110N20L2参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):110A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 55A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):500nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):23000pF @ 25V
功率 - 最大值:960W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别