收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTH72N20
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTH72N20

IXYS TO-247-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 72A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXTH72N20相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTH72N20T IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 200V 72A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH72N30T IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 300V 72A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH74N15T IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 150V 74A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH6N90A IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 900V 6A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH6N90 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 900V 6A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH6N80A IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 800V 6A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTH72N20参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):72A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4400pF @ 25V
功率 - 最大值:400W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别