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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTH3N100P
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IXTH3N100P

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简述:MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXTH3N100P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTH3N120 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH3N150 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH40N30 IXYS TO-247-3 47 MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH36P15P IXYS TO-247-3 MOSFET P-CH 150V 36A TO-247 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH36P10 IXYS TO-247-3 MOSFET P-CH 100V 36A TO-247 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH36N50P IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 36A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTH3N100P参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:通孔

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