收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTH21N50
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTH21N50

IXYS TO-247-3 54
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXTH21N50相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTH220N055T IXYS TO-247-3 290 MOSFET N-CH 55V 220A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH220N075T IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 75V 220A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH22N50P IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH20P50P IXYS TO-247-3 1078 MOSFET P-CH 500V 20A TO-247 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH20N60 IXYS TO-247-3 1964 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH20N50D IXYS TO-247-3 309 MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...

IXTH21N50参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):21A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):190nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4200pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别