收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTH1N100
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTH1N100

IXYS TO-247-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXTH1N100相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTH1N250 IXYS TO-3P-3 整包 MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-247AD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH200N075T IXYS TO-247-3 257 MOSFET N-CH 75V 200A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH200N085T IXYS TO-247-3 256 MOSFET N-CH 85V 200A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH182N055T IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 55V 182A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH180N10T IXYS TO-247-3 450 MOSFET N-CH 100V 180A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTH180N085T IXYS TO-247-3 68 MOSFET N-CH 85V 180A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTH1N100参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):11 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):480pF @ 25V
功率 - 最大值:60W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别