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IXTH02N250

IXYS *
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简述:MOSF N CH 2500V 900MA TO263
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IXTH02N250参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):2500V(2.5kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):900mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):450 欧姆 @ 50mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):116pF @ 25V
功率 - 最大值:83W
安装类型:*

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