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IXTB30N100L

IXYS TO-264-3,TO-264AA
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简述:MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

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IXTB30N100L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 500mA,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):545nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13200pF @ 25V
功率 - 最大值:800W
安装类型:通孔

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