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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTA88N085T7
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IXTA88N085T7

IXYS TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTA88N085T7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IXTA8PN50P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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IXTA80N12T2 IXYS TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA MOSFET N-CH 120V 80A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTA88N085T7参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):85V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):88A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):69nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3140pF @ 25V
功率 - 最大值:230W
安装类型:表面贴装

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