收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTA54N30T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTA54N30T

IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 300V 54A TO-263
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTA54N30T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTA56N15T IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 56A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA5N50P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 4.8A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA5N60P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA52P10P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 534 MOSFET P-CH 100V 52A TO-263 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA50N25T IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 250V 50A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA50N20P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 50A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTA54N30T参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):300V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):54A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别