收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTA48N20T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTA48N20T

IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 400
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 48A TO-263
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTA48N20T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTA48P05T IXYS TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA MOSFET P-CH 50V 48A TO-263 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA4N60P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA4N80P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA460P2 IXYS TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA MOSFET N-CH 500V 24A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA44P15T IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 811 MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA44N30T IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 300V 44A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTA48N20T参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):48A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 24A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3090pF @ 25V
功率 - 最大值:250W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别