收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTA3N100P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTA3N100P

IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTA3N100P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTA3N110 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA3N120 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1469 MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA3N120TRL IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 23200 MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA3N100D2 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 50 MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...
IXTA38N15T IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 38A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA36P15P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 154 MOSFET P-CH 150V 36A TO-263 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTA3N100P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别