收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTA2N80P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTA2N80P

IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTA2N80P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTA2R4N120P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA300N04T2 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 300A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA300N04T2-7 IXYS TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA MOSFET N-CH 40V 300A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA2N80 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 800V 2A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA2N100P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA2N100 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTA2N80P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):440pF @ 25V
功率 - 最大值:70W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别