收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTA27N20T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTA27N20T

IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 27A TO-263
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTA27N20T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTA28P065T IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 108 MOSFET P-CH 65V 28A TO-263 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA2N100 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA2N100P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA26P20P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 200V 26A TO-263 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA26P10T IXYS TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA MOSFET P-CH 100V 26A TO-263 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA260N055T2-7 IXYS TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 55V 260A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTA27N20T参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):27A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别